Infineon IPB180P04P4L02ATMA1 MOSFET IPB180P04P4L-02 OptiMOS-P2 Power-Transistor
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Infineon IPB180P04P4L02ATMA1 MOSFET IPB180P04P4L-02 OptiMOS-P2 Power-Transistor
Infineon IPB180P04P4L02ATMA1 MOSFET IPB180P04P4L-02 OptiMOS-P2 Power-Transistor

Infineon OptiMOS?P P通道功率MOSFET

Infineon OptiMOS? P通道功率MOSFET设计用于提供增强功能，以满足高质量性能要求。功能包括超低开关损耗，通态电阻，雪崩额定值以及通过AEC认证的汽车解决方案。应用包括DC-DC，电机控制，汽车和eMobility。

增强模式
耐雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合RoHS标准
标准封装
OptiMOS?P通道系列：温度范围为-55°C至+175°C