Infineon BFP740ESDH6327XTSA1 双极型晶体管 BFP740ESD, Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
Infineon BFP740ESDH6327XTSA1 双极型晶体管 BFP740ESD, Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
Infineon BFP740ESDH6327XTSA1 双极型晶体管 BFP740ESD, Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
Infineon BFP740ESDH6327XTSA1 双极型晶体管 BFP740ESD, Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

SiGe 射频双极晶体管，Infineon

来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。