Semikron SEMITOP® IGBT 模块包含两个串联（半桥）IGBT 设备。该模块提供各种电压和电流额定值，且适用于各种功率切换应用，如交流变频电动机驱动器和不间断电源。
紧凑型 SEMITOP® 封装
适用于高达 12kHz 的切换频率
绝缘铜基板使用直接粘结技术
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 470 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 封装类型 | SEMITRANS3 |
| 配置 | 双半桥 |
| 安装类型 | 面板安装 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 7 |
| 晶体管配置 | 串行 |
| 尺寸 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
