FOD 8342T -8 mm 爬电距离和间隙距离，以及 0.4 mm 绝缘距离，实现可靠的高电压绝缘
3.0A Peak Output Current Driving Capability for Medium Power IGBT / MOSFET - 在输出级使用 P 通道 MOSFET ，输出电压摆幅接近电源轨
20 kV/μ s 最小共模抑制
宽电源电压范围： 10V 至 30V
全工作温度范围内的快速开关速度 - 210ns 最大传播延迟 -65ns 最大脉冲宽度失真欠压锁定 (UVLO) ，具有滞后
扩展工业温带范围： -40 ° C 至 100 ° C
应用
交流和无刷直流电动机驱动器
工业逆变器
不间断电源
感应加热
隔离 IGBT / 功率 MOSFET 闸极驱动器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 安装类型 | 表面安装 |
| 输出设备 | IGBT，MOSFET |
| 最大正向电压 | 1.8V |
| 通道数目 | 1 |
| 针数目 | 6 |
| 封装类型 | SOIC |
| 典型上升时间 | 38ns |
| 最大输入电流 | 10 mA |
| 隔离电压 | 5 KVrms |
| 逻辑输出 | 是 |
| 典型下降时间 | 24ns |
