SFH610A 和 SFH6106 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有 GaAs 红外二极管发射器，它可与硅平面光电晶体管探测器光学耦合，并采用塑料 DIP-4 或 SMD 封装。该耦合装置设计用于在两个电气分离的电路之间传输信号。耦合器末端可堆叠，间距为 2.54 mm。通过选项 6 和选项 8 实现了 > 8.0 mm 的爬电距离和间隙。
良好的 CTR 线性度取决于正向电流
隔离测试电压，5300 V 有效值
高集电极发射极电压，VCEO = 70 V
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 安装类型 | 表面安装 |
| 输出设备 | 光电晶体管 |
| 最大正向电压 | 1.65V |
| 通道数目 | 1 |
| 针数目 | 4 |
| 封装类型 | SMD |
| 输入电流类型 | 直流 |
| 典型上升时间 | 4µs |
| 最大输入电流 | 60 mA |
| 隔离电压 | 5.3 kVrms |
| 最大电流传输比 | 320% |
| 最小电流传输率 | 56 %, 160 % |
| 典型下降时间 | 15µs |
