FOD8342T - 8 mm 爬电距离和间隙距离、以及 0.4 mm 绝缘距离、以实现可靠和高电压绝缘
3.0 A Peak Output Current Driving Capability for Medium Power IGT/MOSFET
在输出级使用 P 通道 MOSFET 可使输出电压摆动接近电源轨
20 kV/m Ω μs 共模抑制
宽电源电压范围： 10 V 至 30 V
在整个工作温度范围内的快速切换速度
210 ns 最大传播延迟
65 ns 最大脉宽失真
欠压锁定（ UVLO ）、带滞后功能
扩展工业温度范围： -40°C 至 100°C
应用
交流和无刷直流电动机驱动器
工业逆变器
不间断电源
感应加热
隔离式 IGB/ 电源 MOSFET 栅极驱动器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 安装类型 | 表面安装 |
| 输出设备 | 推挽式 MOSFET |
| 最大正向电压 | 1.8V |
| 通道数目 | 1 |
| 针数目 | 6 |
| 封装类型 | SOP |
| 典型上升时间 | 38ns |
| 最大输入电流 | 16 mA |
| 隔离电压 | 5000 V 有效值交流 |
| 逻辑输出 | 是 |
| 典型下降时间 | 24ns |
| 系列 | FOD8342 |
