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onsemi MMBZ18VALT1G TVS二极管

订 货 号:MMBZ18VALT1G      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi MMBZ18VALT1G TVS二极管
产品详细信息

40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON Semiconductor

SOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。
旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。

瞬态电压抑制器,On Semiconductor


属性 数值
二极管配置 共阳极
方向类型 单向
最大钳位电压 25V
最小击穿电压 17.1V
安装类型 表面贴装
封装类型 SOT-23
引脚数目 3
峰值脉冲功率耗散 40W
最大峰值脉冲电流 1.6A
ESD保护
每片芯片元件数目 2
最低工作温度 -55 °C
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
最高工作温度 +150 °C
暂无

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