1PMT5.0AT1G/T3G 系列设计用于保护电压敏感组件，以抵抗高电压和高能量瞬变。 极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。
峰值功率：200W @ 1 ms (1PMT5.0A − 1PMT36A)
最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流
低泄漏
响应时间通常为 < 1ns
3 类 ESD 等级> (16kV)/个人体模型
薄型 - 最大高度 1.1mm
整体式散热片/锁定插片
全金属底部,可消除通量截留
小体积 - 占用面积 8.45mm²
POWERMITE 在 JEDEC 注册为 DO-216AA
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 二极管配置 | 单路 |
| 方向类型 | 单向 |
| 最大钳位电压 | 53.3V |
| 最小击穿电压 | 36.7V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装类型 | POWERMITE |
| 最大反向待机电压 | 33V |
| 引脚数目 | 2 |
| 峰值脉冲功率耗散 | 200W |
| 最大峰值脉冲电流 | 3.8A |
| ESD保护 | 是 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 尺寸 | 2.05 x 2.18 x 1.15mm |
