Bourns® TBU® TBU-DB-Q 系列产品是低电容双重双向高速保护组件，采用 MOSFET 半导体技术，设计目的是在一定限值下防止由短路、过电压瞬变和电池故障造成的故障。置于系统电路中的 TBU® 高速保护器将通过触发 MOSFET 检测电路监控电流，以提供有效屏障，使得敏感的电子产品在瞬变事件中不会暴露于大电流中。
高级电路保护
过电流保护
阻止浪涌达到额定电压限值
高速性能
小型 SMT 封装
应用：
RS-485 接口
暴露感应和数据线路
工厂自动化
汽车电池管理系统
保护模块和保护器
过程控制设备
测试和测量器件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 方向类型 | 双向 |
| 最大钳位电压 | 550V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装类型 | DFN |
| 引脚数目 | 6 |
| ESD保护 | 是 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +125 °C |
| 尺寸 | 6.6 x 5.6 x 0.95mm |
