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STMicroelectronics STH3N150-2 MOSFET

订 货 号：STH3N150-2      品牌：Tronics

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STMicroelectronics STH3N150-2 MOSFET
产品详细信息

N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 2.5 A
最大漏源电压 1500 V
封装类型 H2PAK-2
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 9 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 5V
最小栅阈值电压 3V
最大功率耗散 140 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -30 V、+30 V
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
最高工作温度 +150 °C
长度 10.4mm
典型栅极电荷@Vgs 29.3 nC @ 10 V
宽度 15.8mm
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