Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
标准插脚允许插入式更换
高载流能力封装
行业标准资质等级
低频应用中的高性能
增加功率密度
为设计师提供了为其应用程序选择最佳设备的灵活性
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 65 A |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 24 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 330 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 长度 | 10.66mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 70 nC @ 10 V |
| 宽度 | 4.82mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
