Wolfspeed Z-Fet™，C2M™和C3M™碳化硅功率MOSFET。Cree功率分部Wolfspeed的一系列第二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。这些低电容设备可实现更高的切换频率，并降低了散热要求，从而提高了整体系统工作效率。
• 增强模式N通道SiC技术
• 高漏源击穿电压-高达1200V
• 多个设备易于并行且易于驱动
• 高速开关，导通电阻低
• 防闩锁操作
Wolfspeed MOSFET实现了更高开关频率，并且减小了电感器、电容器、滤波器、变压器等组件的尺寸。Wolfspeed的碳化硅MOSFET取代硅器件，可降低开关损耗和传导损耗，并实现更高阻断电压和雪崩能力。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 31 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 208 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.2V |
| 最小栅阈值电压 | 1.7V |
| 最大功率耗散 | 208 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -10 V, +25 V |
| 长度 | 16.13mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 49.2 nC @ 20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | SiC |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 5.21mm |
