Vishay 功率 MOSFET 具有低栅极电荷 Qg ，可实现简单的驱动要求，且具有改进的栅极，雪崩和动态 dV/dt 坚固性。
工作接点和存储温度范围 - 55 至 + 150°C
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 22 A |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 封装类型 | TO-247AC |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 230 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 277 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 宽度 | 5.31mm |
| 长度 | 15.87mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 120 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
