Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 5.7 A |
| 最大漏源电压 | 800 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 950 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.9V |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 83 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 6.73mm |
| 宽度 | 6.22mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 31 nC @ 10 V |
