DirectFET® 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。
在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻
封装电阻极低,尽量减少传导损耗
高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
薄型,仅 0.7mm
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 190 A |
最大漏源电压 | 30 V |
封装类型 | DirectFET MX |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 5 |
最大漏源电阻值 | 2.7 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 2.35V |
最小栅阈值电压 | 1.35V |
最大功率耗散 | 104 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
典型栅极电荷@Vgs | 42 nC @ 4.5 V |
宽度 | 5.05mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
最高工作温度 | +150 °C |
长度 | 5.45mm |