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Infineon IRLML6401TRPBF MOSFET

订 货 号:IRLML6401TRPBF      品牌:国际整流器_IR

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Infineon IRLML6401TRPBF MOSFET
产品详细信息

P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V,Infineon

Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 4.3 A
最大漏源电压 12 V
封装类型 微型
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 50 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 0.95V
最小栅阈值电压 0.4V
最大功率耗散 1.3 W
晶体管配置
最大栅源电压 -8 V、+8 V
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V
长度 3.04mm
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
宽度 1.4mm
最高工作温度 +150 °C
暂无

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