STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 180 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | H2PAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 2.3 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 315 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 宽度 | 10.4mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 180 nC @ 10 V |
| 长度 | 15.8mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
