N 通道功率 MOSFET 专门设计用于线性操作。这些设备具有扩展的正向偏置安全工作区域 (FBSOA)，可提高坚固性和可靠性。
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| 最大漏源电压 | 1000 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 1.3 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最大功率耗散 | 400 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 5.3mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 155 nC @ 20 V |
| 长度 | 16.26mm |
| 晶体管材料 | Si |
