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Vishay SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET

订 货 号：SI2301CDS-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

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Vishay SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET
产品详细信息

P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 2.3 A
最大漏源电压 20 V
封装类型 SOT-23
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 112 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 0.4V
最大功率耗散 860 mW
晶体管配置 单
最大栅源电压 -8 V、+8 V
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 1
长度 3.04mm
典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 2.5 V，5.5 nC @ 4.5 V
宽度 1.4mm
晶体管材料 Si
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