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安世半导体 PMN50XP,165 MOSFET

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安世半导体 PMN50XP,165 MOSFET
产品详细信息

P 通道 MOSFET，Nexperia

MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 4.8 A
最大漏源电压 20 V
封装类型 TSOP
安装类型 表面贴装
引脚数目 6
最大漏源电阻值 60 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 0.95V
最小栅阈值电压 0.55V
最大功率耗散 2.2 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -12 V、+12 V
每片芯片元件数目 1
长度 3.1mm
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V
宽度 1.7mm
晶体管材料 Si
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