Vishay 第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速切换，耐震设备设计，低接通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB 封装是功耗水平约为 50 W 的所有商业 - 工业应用的通用首选
动态 dV/dt 额定值
重复性耐雪崩等级
简单的驱动器要求
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 1.2 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 43 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 10.41mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 宽度 | 4.7mm |
