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onsemi NTLJD3119CTBG MOSFET

订 货 号:NTLJD3119CTBG      品牌:安森美_Onsemi

库存数量:10             品牌属性:进口

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onsemi NTLJD3119CTBG MOSFET
产品详细信息

双 N/P 通道 MOSFET,ON Semiconductor

NTJD1155L 是一种双通道 MOSFET 。该 MOSFET 在单个封装中同时采用 P 和 N 通道,非常适用于低控制信号,低电池电压和高负载电流。N 通道具有内部 ESD 保护功能,可以由低至 1.5V 的逻辑信号驱动,而 P 通道则设计用于负载切换应用。P 信道还采用半沟道技术设计。

MOSFET 晶体管,ON Semiconductor


属性 数值
通道类型 N,P
最大连续漏极电流 4.1 A,4.6 A
最大漏源电压 20 V
封装类型 WDFN
安装类型 表面贴装
引脚数目 6
最大漏源电阻值 120 mΩ, 200 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1V
最大功率耗散 2.3 W
晶体管配置 隔离式
最大栅源电压 -8 V、+8 V
宽度 2mm
每片芯片元件数目 2
典型栅极电荷@Vgs 3.7 nC @ 4.5 V,5.5 nC @ 4.5 V
长度 2mm
晶体管材料 Si
最高工作温度 +150 °C
暂无

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