NTJD1155L 是一种双通道 MOSFET 。该 MOSFET 在单个封装中同时采用 P 和 N 通道，非常适用于低控制信号，低电池电压和高负载电流。N 通道具有内部 ESD 保护功能，可以由低至 1.5V 的逻辑信号驱动，而 P 通道则设计用于负载切换应用。P 信道还采用半沟道技术设计。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 4.1 A，4.6 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | WDFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 120 mΩ, 200 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 2.3 W |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 宽度 | 2mm |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.7 nC @ 4.5 V，5.5 nC @ 4.5 V |
| 长度 | 2mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +150 °C |
