在半导体方面， P 通道 MOSFET 采用半导体专有的高细胞密度 DMOS 技术制造。这种非常高密度的过程旨在最大限度地减少状态电阻，从而为快速交换提供坚固可靠的性能。
•电压控制的 P 通道小信号开关
•高密度单元设计
•高饱和度电流
•卓越的交换性能
•坚固耐用、可靠的性能
* DMOS 技术
•负载切换
• DC/DC 转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 460 mA |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 1.1 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.65V |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | +8 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 2.92mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.1 nC @ 4.5 V |
| 宽度 | 1.3mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
