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onsemi FDD3672_F085 MOSFET

订 货 号:FDD3672_F085      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FDD3672_F085 MOSFET
产品详细信息

UltraFET® MOSFET,Fairchild Semiconductor

UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。
应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 44 A
最大漏源电压 100 V
封装类型 DPAK
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 74 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 144 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V
最高工作温度 +175 °C
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
长度 6.73mm
宽度 6.22mm
暂无

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