IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 26 A |
最大漏源电压 | 1200 V |
封装类型 | TO-264 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 460 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 6.5V |
最大功率耗散 | 960 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
最高工作温度 | +150 °C |
长度 | 19.96mm |
宽度 | 5.13mm |
典型栅极电荷@Vgs | 225 nC @ 10 V |
晶体管材料 | Si |