DiodesZetex 生产的新一代互补 MOSFET H 电桥，可通过低栅极驱动实现低导通电阻。这种环保器件完全不含铅、卤素和锑。此款 MOSFET 采用 SO-8 封装。具有开关速度快和输送电容低的特点。工作温度范围 -55°C 至 +150°C。
最大漏极-源极电压 40 V 最大栅极-源极电压 ±20 V 2 个 N 沟道和 2 个 P 通道，采用 SOIC 封装 导通电阻低
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 2.9 A，4.5 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.1 O，0.058 O |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
