Wolfspeed Z-Fet™,C2M™和C3M™碳化硅功率MOSFET。Cree功率分部Wolfspeed的一系列第二代 SiC MOSFET,可提供行业领先的功率密度和切换效率。这些低电容设备可实现更高的切换频率,并降低了散热要求,从而提高了整体系统工作效率。
• 增强模式N通道SiC技术
• 高漏源击穿电压-高达1200V
• 多个设备易于并行且易于驱动
• 高速开关,导通电阻低
• 防闩锁操作
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 24 A |
最大漏源电压 | 1200 V |
封装类型 | TO-247 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 240 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4.1V |
最小栅阈值电压 | 3.1V |
最大功率耗散 | 134 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -5 V、+25 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
最高工作温度 | +150 °C |
长度 | 16.13mm |
典型栅极电荷@Vgs | 47.1 nC @ 20 V |
宽度 | 5.21mm |
晶体管材料 | SiC |