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onsemi FDS4501H MOSFET

订 货 号:FDS4501H      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FDS4501H MOSFET
产品详细信息

PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。


属性 数值
通道类型 N,P
最大连续漏极电流 5.6 A,9.3 A
最大漏源电压 20 V,30 V
封装类型 SOIC
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 29 mΩ,80 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 0.4V
最大功率耗散 2.5 W
晶体管配置 共漏极
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 2
宽度 3.9mm
晶体管材料 Si
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V,17 nC @ 4.5 V
长度 4.9mm
暂无

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