增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。
on ON Semiconductor NDT451AN 是功率型安全模 n 沟道增强型功率场效应晶体管、采用高细胞密度、极高密度、极高密度技术制造而成。此超高密度过程专门定制、有效减少通态电
高功率和电流处理能力、采用广泛使用的表面安装封装
在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 7.2 A |
最大漏源电压 | 30 V |
封装类型 | SOT-223 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 + Tab |
最大漏源电阻值 | 90 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最小栅阈值电压 | 1V |
最大功率耗散 | 3 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 10 V |
宽度 | 3.7mm |
长度 | 6.7mm |
最高工作温度 | +150 °C |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |