这些低电压 (LV) MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 42 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | PowerDFN33 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 11.7 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.7V |
| 最大功率耗散 | 25.2 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15.9 nC @ 10 V |
| 长度 | 3.2mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 3.2mm |
