OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)
极低导通电阻 R DS(on)
无铅电镀
Infineon TO-252-3 表面安装 N 通道 MOSFET 是一款新型产品、在 10V 栅源电压下具有 5.3 毫欧姆的漏源电阻。MOSFET 具有 90A 的连续漏极电流。它的最大栅源电压为 20V 、漏源电压为 80V 。它的最大功耗为 150W 。 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 6V 和 10V 。它经过优化、可降低开关和传导损耗。MOSFET 可应对最具挑战性的应用、在有限的空间内提供完全的灵活性。它旨在满足并超越计算应用中经过强化的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。MOSFET 可提供卓越的效率以及较长的使用寿命、而不会影响性能或功能。
•双面冷却
•出色的栅极充电 x R DS （开）产品（ FOM ）
• 无卤素
•无铅 (Pb) 电镀
•寄生电感低
•薄型（< 0 、 7mm ）
•工作温度范围在 -55°C 和 175°C 之间
•优化的直流 - 直流转换器技术
•优异的热阻
•电阻极低
•交流 - 直流
•适配器
•直流 - 直流
• LED
• 电动机控制
• PC 电源
•服务器电源
• SMPS
• 太阳能
• 电信
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC61249 - 2-21
• JEDEC
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 90 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | TO-252 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 + 2 Tab |
| 最大漏源电阻值 | 9.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 52 nC @ 10 V |
| 长度 | 6.73mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 宽度 | 7.36mm |
