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德州仪器 CSD16570Q5BT MOSFET

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德州仪器 CSD16570Q5BT MOSFET
产品详细信息

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments

MOSFET 晶体管，Texas Instruments


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 456 A
最大漏源电压 25 V
封装类型 VSON-CLIP
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 820 μΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1.9V
最小栅阈值电压 1.1V
最大功率耗散 195 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -20 V、+20 V
长度 5mm
最高工作温度 +150 °C
宽度 6mm
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 192 nC @ 10 V，95 nC @ 4.5 V
晶体管材料 Si
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