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Nexperia PHKD6N02LT,518 MOSFET

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Nexperia PHKD6N02LT,518 MOSFET
产品详细信息

双 N 通道 MOSFET，Nexperia

MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 10.9 A
最大漏源电压 20 V
封装类型 SOIC
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 20 MΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1.5V
最小栅阈值电压 0.5V
最大功率耗散 4.17 W
晶体管配置 隔离式
最大栅源电压 -12 V、+12 V
每片芯片元件数目 2
宽度 4mm
典型栅极电荷@Vgs 15.3 nC @ 5 V
长度 5mm
最高工作温度 +150 °C
晶体管材料 Si
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