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onsemi FCPF36N60NT MOSFET

订 货 号:FCPF36N60NT      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FCPF36N60NT MOSFET
产品详细信息

SupreMOS® MOSFET,Fairchild Semiconductor

Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。
与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列为相同的 RDS(接通)提供低栅极电荷,提供极佳的切换性能,切换和传导损耗降低 20%,从而获得更高的效率。
这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 36 A
最大漏源电压 600 V
封装类型 TO-220F
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 81 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 2V
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V
宽度 4.9mm
晶体管材料 Si
每片芯片元件数目 1
最高工作温度 +150 °C
长度 10.36mm
暂无

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