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Vishay SI2365EDS-T1-GE3 MOSFET

订 货 号：SI2365EDS-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

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Vishay SI2365EDS-T1-GE3 MOSFET
产品详细信息

P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 4.7 A
最大漏源电压 20 V
封装类型 SOT-23 (TO-236)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 67.5 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 0.4V
最大功率耗散 1.7 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -8 V、+8 V
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
典型栅极电荷@Vgs 23.8 nC @ 8 V
宽度 1.4mm
长度 3.04mm
最高工作温度 +150 °C
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