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Texas Instruments CSD19536KTTT MOSFET

订 货 号：CSD19536KTTT      品牌：德州仪器_Texas Instruments

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Texas Instruments CSD19536KTTT MOSFET
产品详细信息

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments

MOSFET 晶体管，Texas Instruments


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 272 A
最大漏源电压 100 V
封装类型 D2PAK (TO-263)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 2.8 mΩ
通道模式 增强
最大功率耗散 375 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -20 V、+20 V
宽度 9.65mm
长度 10.67mm
最高工作温度 +175 °C
晶体管材料 Si
典型栅极电荷@Vgs 118 nC @ 0 V
每片芯片元件数目 1
暂无

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