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德州仪器 CSD19506KCS MOSFET

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德州仪器 CSD19506KCS MOSFET
产品详细信息

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments

MOSFET 晶体管，Texas Instruments


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 273 A
最大漏源电压 80 V
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 2.8 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 3.2V
最小栅阈值电压 2.1V
最大功率耗散 375 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
宽度 4.7mm
晶体管材料 Si
长度 10.67mm
典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V
最高工作温度 +175 °C
暂无

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