Vishay 第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速切换，耐震设备设计，低接通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK (TO-263) 由于其内部连接电阻低，适用于高电流应用，在典型表面安装应用中可耗散高达 2.0 W。
动态 dV/dt 额定值
重复性耐雪崩等级
简单的驱动要求
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 8 A |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 850 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 3100 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 38 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 9.65mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
