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IXYS IXTH80N65X2 MOSFET

订 货 号:IXTH80N65X2      品牌:艾赛思_IXYS

库存数量:10             品牌属性:进口

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IXYS IXTH80N65X2 MOSFET
产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,IXYS X2 类系列

与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管,适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。

极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)
本质整流器二极管
低本质栅极电阻
低封装电感
工业标准封装

MOSFET 晶体管,IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 80 A
最大漏源电压 650 V
封装类型 TO-247
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 38 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 5V
最小栅阈值电压 2.7V
最大功率耗散 890 W
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
宽度 21.34mm
典型栅极电荷@Vgs 137 nC @ 10 V
晶体管材料 Si
长度 16.13mm
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 1
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