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onsemi FQD11P06TM MOSFET

订 货 号:FQD11P06TM      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FQD11P06TM MOSFET
产品详细信息

增强模式 P 通道 MOSFET , ON Semiconductor

在半导体方面, P 通道 MOSFET 采用半导体专有的高细胞密度 DMOS 技术制造。这种非常高密度的过程旨在最大限度地减少状态电阻,从而为快速交换提供坚固可靠的性能。

特点和优势:

•电压控制的 P 通道小信号开关
•高密度单元设计
•高饱和度电流
•卓越的交换性能
•坚固耐用、可靠的性能
* DMOS 技术

应用:

•负载切换
• DC/DC 转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 9.4 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 DPAK (TO-252)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 185 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 2500 mW
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
长度 6.6mm
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V
每片芯片元件数目 1
最高工作温度 +150 °C
宽度 6.1mm
晶体管材料 Si
暂无

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