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Infineon IPB036N12N3GATMA1 MOSFET

订 货 号:IPB036N12N3GATMA1      品牌:GAT

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Infineon IPB036N12N3GATMA1 MOSFET
产品详细信息

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 180 A
最大漏源电压 120 V
封装类型 D2PAK (TO-263)
安装类型 表面贴装
引脚数目 7
最大漏源电阻值 3.6 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 300 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
宽度 9.45mm
典型栅极电荷@Vgs 158 nC @ 10 V
长度 10.31mm
最高工作温度 +175 °C
暂无

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