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Toshiba 2SJ669(Q) MOSFET

订 货 号：2SJ669(Q)      品牌：东芝_Toshiba

库存数量：10             品牌属性：进口

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Toshiba 2SJ669(Q) MOSFET
产品详细信息

MOSFET P 通道，2SJ 系列，Toshiba

MOSFET 晶体管，Toshiba


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 5 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 TPS
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 170 mΩ
通道模式 增强
最大功率耗散 1200 mW
最大栅源电压 -20 V、+20 V
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V
长度 8mm
每片芯片元件数目 1
宽度 3.5mm
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