Infineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N/P 通道配置。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 5.3 A，7.3 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 46 mΩ, 98 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 宽度 | 4mm |
| 长度 | 5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 22 nC @ 10 V，23 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
