当前位置: 首页 > 工业电子产品 > 无源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比较

onsemi FQA36P15 MOSFET

订 货 号:FQA36P15      品牌:安森美_Onsemi

库存数量:10             品牌属性:进口

品牌商价:¥0.00

环 球 价: 登陆后可查看

-
+

公司基本资料信息







  • 关联产品
  • 替代产品
  • 产品介绍
  • 产品属性
  • 相关资料
  • 产品评价(0)
onsemi FQA36P15 MOSFET
产品详细信息

QFET® P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 36 A
最大漏源电压 150 V
封装类型 TO-3PN
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 90 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 294000 mW
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V
宽度 5mm
最高工作温度 +175 °C
晶体管材料 Si
长度 15.8mm
暂无

正在载入评论详细...