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STMicroelectronics STR2P3LLH6 MOSFET

订 货 号:STR2P3LLH6      品牌:Tronics

库存数量:10             品牌属性:进口

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STMicroelectronics STR2P3LLH6 MOSFET
产品详细信息

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 2 A
最大漏源电压 30 V
封装类型 SOT-23
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 90 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2.5V
最小栅阈值电压 1V
最大功率耗散 350 mW
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
最高工作温度 +150 °C
长度 3.04mm
宽度 1.75mm
典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
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