Infineon OptiMOS™ P通道功率MOSFET设计用于提供增强功能,以满足高质量性能要求。功能包括超低开关损耗,通态电阻,雪崩额定值以及通过AEC认证的汽车解决方案。应用包括DC-DC,电机控制,汽车和eMobility。
增强模式
耐雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合RoHS标准
标准封装
OptiMOS™P通道系列:温度范围为-55°C至+175°C
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | P |
最大连续漏极电流 | 40 A |
最大漏源电压 | 30 V |
封装类型 | TSDSON |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 13.4 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 1.9V |
最小栅阈值电压 | 3.1V |
最大功率耗散 | 69 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
宽度 | 3.4mm |
长度 | 3.4mm |
典型栅极电荷@Vgs | 43.2 nC @ 10 V |
最高工作温度 | +150 °C |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |