属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 272 A |
最大漏源电压 | 100 V |
封装类型 | D2PAK (TO-263) |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 2.8 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大功率耗散 | 375 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
宽度 | 9.65mm |
典型栅极电荷@Vgs | 118 nC @ 0 V |
长度 | 10.67mm |
晶体管材料 | Si |
最高工作温度 | +175 °C |