属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 75 A |
最大漏源电压 | 40 V |
封装类型 | SON |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 9.8 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 2.4V |
最小栅阈值电压 | 1.5V |
最大功率耗散 | 3.1 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |
宽度 | 5mm |
典型栅极电荷@Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V |
长度 | 5.8mm |
最高工作温度 | +150 °C |