属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | P |
最大连续漏极电流 | 4 A |
最大漏源电压 | 20 V |
封装类型 | SOT-23 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 85 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 0.95V |
最大功率耗散 | 900 mW |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |
宽度 | 1.7mm |
最高工作温度 | +150 °C |
长度 | 3.1mm |
典型栅极电荷@Vgs | 9 nC @ 4.5 V |