属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 19.5 A |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | D2PAK (TO-263) |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 180 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 5V |
最小栅阈值电压 | 3V |
最大功率耗散 | 150 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
最高工作温度 | +150 °C |
晶体管材料 | Si |
长度 | 10.75mm |
典型栅极电荷@Vgs | 70 nC @ 10 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
宽度 | 10.4mm |